Implantatie van ionen met lage energie maakt de constructie van een 2D laterale pn-overgang mogelijk
Materiaalkarakterisering van ongerepte WS2 en N-WS2. Bron: Licht: wetenschap en toepassingen (2024). DOI: 10.1038/s41377-024-01477-3 De feature size van transistoren op basis van silicium nadert de theoretische limiet, wat hogere eisen ...
